VBSEMI
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2SJ179
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
AO6601
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
安装类型: SMT 功率耗散: 1.15W 阈值电压: - 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A,3.4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: - 配置: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ,79mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.6nC 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
安装类型: SMT 功率耗散: 1.15W 阈值电压: - 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A,3.4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: - 配置: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ,79mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.6nC 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
AO7401
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 400mW 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1.4A 封装/外壳: SOT-323 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 44pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 272pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 400mW 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1.4A 封装/外壳: SOT-323 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 44pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 272pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
SI1967DH-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.14W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SC-70-6 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 155mΩ 输入电容: 210pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 晶体管类型: 2个P沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.14W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SC-70-6 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 155mΩ 输入电容: 210pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 晶体管类型: 2个P沟道(双)
XP202A0003PR
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89-3
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 输入电容: 1.355nF 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89-3
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 输入电容: 1.355nF 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 晶体管类型: P沟道
NCE3400A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 1.1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 1.1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
VBK1270
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.56W 阈值电压: 1.3V@250μA 额定功率: 2.8W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@2.5V,1.5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.56W 阈值电压: 1.3V@250μA 额定功率: 2.8W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@2.5V,1.5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
VBA1311
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.2W 阈值电压: 3V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 1µA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.2W 阈值电压: 3V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 1µA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AO3422
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
VB3222
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.14W 击穿电压: 20V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.5A 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 6nC 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.14W 击穿电压: 20V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.5A 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 6nC 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)