SI1967DH-T1-GE3
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | VBsemi |
| 击穿电压: | 20V |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 1.6A |
| 长x宽/尺寸: | - |
| 封装/外壳: | SC-70-6 |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 155mΩ |
| 输入电容: | 210pF |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 8nC |
| 晶体管类型: | 2个P沟道(双) |
| 引脚数: | 6Pin |