XP202A0003PR

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89-3

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:6A
封装/外壳:SOT89-3
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:145pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China Taiwan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):56mΩ
输入电容:1.355nF
最小包装:1000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):38nC
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.8164
包装:1 库存:495