VB3222
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 1.14W |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | - |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 3.5A |
| 封装/外壳: | TSOP6 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 26pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 1.8nC |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 22mΩ |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 6nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |