AO7401

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:400mW
击穿电压:20V
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:1.4A
封装/外壳:SOT-323
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:44pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:4.3nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):80mΩ
输入电容:272pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET