VBSEMI
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VBTA1220N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=700mA RDS(ON)=270mΩ@4.5V SC75A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 400mW 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 700mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-416 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 11pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.4nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 270mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4.1nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=700mA RDS(ON)=270mΩ@4.5V SC75A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 400mW 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 700mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-416 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 11pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.4nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 270mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4.1nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
WPM2015-3/TR
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.5A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 10nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.5A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 10nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
AO4616
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 击穿电压: 30V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 63nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 击穿电压: 30V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 63nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
SI2300DS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 输入电容: 865pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 输入电容: 865pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
FDN340P-NL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
VBA3222
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.1A RDS(ON)=19mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@4.5V,7.1A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.1A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 9.5nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 输入电容: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 9.5nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.1A RDS(ON)=19mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@4.5V,7.1A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.1A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 9.5nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 输入电容: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 9.5nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
VBTA2245N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=550mA RDS(ON)=450mΩ@4.5V SC75
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 550mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-416 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 2.5nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=550mA RDS(ON)=450mΩ@4.5V SC75
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 550mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-416 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 2.5nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
RTR040N03TL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.1W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 335pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.1W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 335pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
SI2302DS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 无卤: Yes 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 无卤: Yes 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
ME9435
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: - 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: - 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC 晶体管类型: MOSFET