VBA1311
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 2.2W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 8mΩ@10V,10A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 9A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 漏极电流: | 1µA |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 15nC |
| 配置: | 单路 |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 23nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |