VBK1270

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
击穿电压:20V
功率耗散:1.56W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:4A
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-323
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:4nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.10mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.4655
50+¥0.4560
150+¥0.4497
500+¥0.4433
包装:5 库存:35