VBK1270
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 1.56W |
| 阈值电压: | 1.3V@250μA |
| 额定功率: | 2.8W |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 60mΩ@2.5V,1.5A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 4nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 40mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |