AO6601
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | Yes |
击穿电压: | 20V |
阈值电压: | - |
原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
包装: | Tape/reel |
极性: | N-沟道,P-沟道 |
连续漏极电流: | 5.5A,3.4A |
封装/外壳: | TSOP6 |
栅极源极击穿电压: | ±20V |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
配置: | - |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 30mΩ,79mΩ |
原产国家: | China Taiwan |
最小包装: | 3000pcs |
漏源电压(Vdss): | 20V |
栅极电荷(Qg): | 3.6nC |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | MOSFET |
引脚数: | 6Pin |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥1.0848 |
10+ | ¥1.0170 |
50+ | ¥0.9153 |
150+ | ¥0.8475 |
300+ | ¥0.8000 |
500+ | ¥0.7797 |
包装:1 | 库存:0 |