VBSEMI
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IRLML6401GTRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
FDG6303N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-363 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5nC 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-363 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5nC 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
SI2305DS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 脚间距: 1.9mm 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 脚间距: 1.9mm 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
VB1330
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.1W 阈值电压: 1.1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.3A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 335pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.1W 阈值电压: 1.1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.3A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 335pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AP2305GN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
VBA2311
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8.7A FET类型: P-Channel 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 325pF 充电电量: 43nC 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 1960pF 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 功率(Max): 5.6W（Tc） 导通电阻Rds On(Max): 12mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ)
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8.7A FET类型: P-Channel 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 325pF 充电电量: 43nC 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 1960pF 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 功率(Max): 5.6W（Tc） 导通电阻Rds On(Max): 12mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ)
IRLML0060TRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
SI2309CDS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=5.2A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 27W 击穿电压: 60V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.2A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50mΩ 输入电容: 270pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=5.2A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 27W 击穿电压: 60V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.2A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50mΩ 输入电容: 270pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
SI2312CDS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
IRF5803TRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2W 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 封装/外壳: SOT23-6 反向传输电容Crss: 63pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 54mΩ 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2W 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 封装/外壳: SOT23-6 反向传输电容Crss: 63pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 54mΩ 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin