NCE
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NCE3400AY
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W
安装类型: SMT 阈值电压: 1.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 78pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W
安装类型: SMT 阈值电压: 1.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 78pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
NCE20P70G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 1个P沟道 耐压:20V 电流:70A DFN8_5X6MM
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压: 600mV 额定功率: 130W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 70A 长x宽/尺寸: 5.10 x 6.13mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 100nC 原产国家: China 输入电容: 4.95nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 100nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 1个P沟道 耐压:20V 电流:70A DFN8_5X6MM
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压: 600mV 额定功率: 130W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 70A 长x宽/尺寸: 5.10 x 6.13mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 100nC 原产国家: China 输入电容: 4.95nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 100nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
NCE6020AI
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 45W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-251-3 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 45W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-251-3 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE7560K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
安装类型: SMT 阈值电压: 4V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,30A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 260pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 100nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5mΩ 输入电容: 4.4nF 漏源电压(Vdss): 75V 栅极电荷(Qg): 100nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
安装类型: SMT 阈值电压: 4V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,30A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 260pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 100nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5mΩ 输入电容: 4.4nF 漏源电压(Vdss): 75V 栅极电荷(Qg): 100nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE65TF068T
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-247
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 3.5V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 原产国家: China 品牌: NCE 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流Id@25℃: 53A 导通电阻Rds On(Max): 78mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 85nC 输入电容(Ciss)(Max): 4500pF 功率(Max): 435mW 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 通孔(THT) 封装/外壳: TO-247
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-247
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 3.5V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 原产国家: China 品牌: NCE 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流Id@25℃: 53A 导通电阻Rds On(Max): 78mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 85nC 输入电容(Ciss)(Max): 4500pF 功率(Max): 435mW 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 通孔(THT) 封装/外壳: TO-247
NCE4614
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P+N双MOS管，40V/8A加-40V/-7A，
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 11pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 29mΩ 输入电容: 415pF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 12nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P+N双MOS管，40V/8A加-40V/-7A，
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 11pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 29mΩ 输入电容: 415pF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 12nC 晶体管类型: P沟道
NCE30NP07S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V ID:6.5/7 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 2W 阈值电压: 3V 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: 1uA 反向传输电容Crss: 54pF@15V 栅极源极击穿电压: 30V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 12.6nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V ID:6.5/7 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 2W 阈值电压: 3V 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: 1uA 反向传输电容Crss: 54pF@15V 栅极源极击穿电压: 30V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 12.6nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
NCE4009S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 9A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22.9nC 配置: 单路 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22.9nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 9A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22.9nC 配置: 单路 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22.9nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
NCE3080IA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：83W
安装类型: DIP 功率耗散: 83W 阈值电压: 1.4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 80A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.65 x 2.40mm 封装/外壳: TO251 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 2.33nF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 最小包装: 75pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 51nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：83W
安装类型: DIP 功率耗散: 83W 阈值电压: 1.4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 80A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.65 x 2.40mm 封装/外壳: TO251 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 2.33nF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 最小包装: 75pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 51nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE65T1K2F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
安装类型: SMT 击穿电压: 650V 阈值电压: 4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.5A 封装/外壳: TO220F-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±30V 输入电容Ciss: 304pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 15.97mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
安装类型: SMT 击穿电压: 650V 阈值电压: 4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.5A 封装/外壳: TO220F-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±30V 输入电容Ciss: 304pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 15.97mm 引脚数: 3Pin