NCE30NP07S

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V ID:6.5/7 功率(Pd):2W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
功率耗散:2W
阈值电压:3V
额定功率:2W
包装:Tape/reel
连续漏极电流:7A
长x宽/尺寸:5.10 x 4.00mm
封装/外壳:SOP8_150MIL
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):12.6nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
引脚数:8Pin