NCE4614

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P+N双MOS管,40V/8A加-40V/-7A,

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:40V
阈值电压:2V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:8A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOP8_150MIL
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:11pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:12nC
配置:双路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):29mΩ
输入电容:415pF
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):12nC
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.7428
30+¥0.7173
100+¥0.6918
500+¥0.6408
1000+¥0.6153
2000+¥0.6000
包装:1 库存:5042
价格梯度 价格
5+¥1.2527
50+¥1.0144
150+¥0.9123
500+¥0.7848
2500+¥0.7281
4000+¥0.6941
包装:5 库存:65
价格梯度 价格
1+¥1.1664
包装:1 库存:9