NCE6020AI

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W

物料参数

安装类型:插件
击穿电压:60V
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
额定功率:45W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,20A
包装:Tube packing
连续漏极电流:20A
封装/外壳:TO-251-3
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:25pF
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:25nC
配置:单路
输入电容:500pF
最小包装:75pcs
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):25nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.6240
10+¥0.5625
50+¥0.5133
150+¥0.4805
300+¥0.4600
包装:1 库存:770
价格梯度 价格
1+¥1.0652
包装:1 库存:10