NCE4009S

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):2W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:40V
阈值电压:2V@250µA
额定功率:2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:9A
封装/外壳:SO8_150MIL
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:96pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):24mΩ
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):22.9nC
高度:1.45mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.5872
10+¥0.5332
30+¥0.4972
100+¥0.4432
500+¥0.4180
1000+¥0.4000
包装:1 库存:695
价格梯度 价格
1+¥0.8434
包装:1 库存:10