NCE
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NCE80H12
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs N-Channel TO220-3L Vds=80V Vgs=±20V Id=120A Pd=220W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 220W 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 460pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 163nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs N-Channel TO220-3L Vds=80V Vgs=±20V Id=120A Pd=220W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 220W 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 460pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 163nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
NCEP85T11
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
安装类型: 插件 品牌: NCE 阈值电压: 4.5V 额定功率: 145W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 110A 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: 20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 54nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6mΩ 输入电容: 3.87nF 漏源电压(Vdss): 85V 栅极电荷(Qg): 54nC 高度: 15.60mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
安装类型: 插件 品牌: NCE 阈值电压: 4.5V 额定功率: 145W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 110A 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: 20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 54nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6mΩ 输入电容: 3.87nF 漏源电压(Vdss): 85V 栅极电荷(Qg): 54nC 高度: 15.60mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE07TD60BF
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 600V，7A，沟槽式FS II快速IGBT
正向电流: 7A 安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 32W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.83mm 封装/外壳: TO220F 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 12A 集电极-发射极电压 VCEO: 600V 原产国家: China 最小包装: 50pcs 零件状态: Active 高度: 19.57mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 600V，7A，沟槽式FS II快速IGBT
正向电流: 7A 安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 32W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.83mm 封装/外壳: TO220F 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 12A 集电极-发射极电压 VCEO: 600V 原产国家: China 最小包装: 50pcs 零件状态: Active 高度: 19.57mm 引脚数: 3Pin
NCE60P12K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 50W 阈值电压: 2.2V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 37.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 37.6nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 50W 阈值电压: 2.2V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 37.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 37.6nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道
NCE3407AY
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.3A 封装/外壳: SOT23-3 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 原产国家: China 输入电容: 700pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.3A 封装/外壳: SOT23-3 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 原产国家: China 输入电容: 700pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道
NCE30P20Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM_EP 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 227pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 45.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 45.6nC 高度: 0.75mm 零件状态: 在售 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM_EP 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 227pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 45.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 45.6nC 高度: 0.75mm 零件状态: 在售 晶体管类型: P沟道
NCE65T540F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 31.6W 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 0.9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 540mΩ 输入电容: 590pF 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 22nC 零件状态: 在售 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 31.6W 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 0.9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 540mΩ 输入电容: 590pF 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 22nC 零件状态: 在售 引脚数: 3Pin
NCE1550
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 击穿电压: 150V 阈值电压: 3.2V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 151nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 23mΩ 漏源电压(Vdss): 150V 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 击穿电压: 150V 阈值电压: 3.2V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 151nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 23mΩ 漏源电压(Vdss): 150V 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE0224K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
安装类型: SMT 击穿电压: 200V 阈值电压: 3.2V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 24A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 4.2nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 60nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
安装类型: SMT 击穿电压: 200V 阈值电压: 3.2V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 24A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 4.2nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 60nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
NCE3020Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN8_3.15X3.1MM 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 164.4pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 17nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN8_3.15X3.1MM 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 164.4pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 17nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道