NCE20P70G

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs 1个P沟道 耐压:20V 电流:70A DFN8_5X6MM

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:130W
阈值电压:600mV
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:70A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_5X6MM
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:290pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.3mΩ
输入电容:4.95nF
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):100nC
高度:1.00mm
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥3.1080
10+¥2.8980
50+¥2.5830
150+¥2.3730
300+¥2.2260
500+¥2.1630
包装:1 库存:3125