NCE7560K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):140W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
功率耗散:140W
阈值电压:4V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:60A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:260pF
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:100nC
配置:单路
漏源电压(Vdss):75V
栅极电荷(Qg):100nC
零件状态:在售
高度:2.40mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.3230
包装:1 库存:90