NCE
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NCE3050
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 60W 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,25A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 60W 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,25A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
NCE30H12K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 4.12nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 79nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 4.12nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 79nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE70T360F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 32.6W 阈值电压: 3.5V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 11.5A 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 700V 栅极电荷(Qg): 19nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 32.6W 阈值电压: 3.5V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 11.5A 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 700V 栅极电荷(Qg): 19nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE0157A2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 击穿电压: 100V 阈值电压: 4V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 17.5mΩ@10V,28A 包装: Tube packing 连续漏极电流: 57A 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 160.2pF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 17.5mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 146.1nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 击穿电压: 100V 阈值电压: 4V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 17.5mΩ@10V,28A 包装: Tube packing 连续漏极电流: 57A 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 160.2pF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 17.5mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 146.1nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
NCE55P04S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
安装类型: SMT 功率耗散: 3W 阈值电压: 3.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 55V 栅极电荷(Qg): 26nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
安装类型: SMT 功率耗散: 3W 阈值电压: 3.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 55V 栅极电荷(Qg): 26nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
NCEP072N10
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 125W 击穿电压: 100V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 90A 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.2mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 60nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 125W 击穿电压: 100V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 90A 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.2mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 60nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE01H10D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.9mΩ@10V,40A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 100A 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 85nC 配置: 单路 输入电容: 4.8nF 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 85nC 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.9mΩ@10V,40A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 100A 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 85nC 配置: 单路 输入电容: 4.8nF 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 85nC 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE2030K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 201.4pF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 900pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 201.4pF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 900pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
NCE0110K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 9.6A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: 9.6A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 90pF 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 140mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 9.6A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: 9.6A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 90pF 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 140mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCEP040N10D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
安装类型: SMT 功率耗散: 210W 阈值电压: 4V@250µA 额定功率: 210W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 130A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 反向传输电容Crss: 40pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 110nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 110nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
安装类型: SMT 功率耗散: 210W 阈值电压: 4V@250µA 额定功率: 210W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 130A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 反向传输电容Crss: 40pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 110nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 110nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道