NCE0157A2
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
安装类型: | 插件 |
功率耗散: | 160W |
阈值电压: | 4V@250µA |
原始制造商: | WUXI NCE POWER CO., Ltd. |
包装: | Tube packing |
连续漏极电流: | 57A |
存储温度: | -55℃~+175℃ |
封装/外壳: | TO-220-3 |
元件生命周期: | Active |
反向传输电容Crss: | 160.2pF |
工作温度: | -55℃~+175℃ |
充电电量: | 146.1nC |
配置: | 单路 |
输入电容: | 3.969nF |
漏源电压(Vdss): | 100V |
栅极电荷(Qg): | 146.1nC |
零件状态: | Active |
高度: | 19.15mm |
晶体管类型: | N沟道 |
引脚数: | 3Pin |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥1.5408 |
30+ | ¥1.4877 |
100+ | ¥1.3814 |
500+ | ¥1.2751 |
1000+ | ¥1.2220 |
包装:1 | 库存:30 |