NCE0157A2

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET

物料参数

安装类型:插件
功率耗散:160W
阈值电压:4V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tube packing
连续漏极电流:57A
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO-220-3
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:160.2pF
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:146.1nC
配置:单路
输入电容:3.969nF
漏源电压(Vdss):100V
栅极电荷(Qg):146.1nC
零件状态:Active
高度:19.15mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥1.5408
30+¥1.4877
100+¥1.3814
500+¥1.2751
1000+¥1.2220
包装:1 库存:30