NCE2030K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1.2V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 30A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 6.70 x 6.20mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 元件生命周期: | Active |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 201.4pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 900pF |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 15nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 2Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.2588 |
| 包装：1 | 库存：6 |