NCE2030K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):40W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
阈值电压:1.2V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:30A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
原产国家:China
输入电容:900pF
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):15nC
零件状态:在售
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.9824
50+¥0.7807
150+¥0.6943
包装:5 库存:440
价格梯度 价格
1+¥1.2588
包装:1 库存:6