NCEP040N10D

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):210W

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:210W
阈值电压:4V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:130A
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO-263(D²Pak)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:110nC
配置:单路
最小包装:800pcs
漏源电压(Vdss):100V
栅极电荷(Qg):110nC
零件状态:在售
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥4.3590
30+¥4.2325
100+¥3.9795
500+¥3.7265
1000+¥3.6000
包装:1 库存:455
价格梯度 价格
1+¥4.5306
包装:1 库存:10