NCE01H10D
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 原始制造商: | WUXI NCE POWER CO., Ltd. |
| 额定功率: | 200W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 9.9mΩ@10V,40A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 100A |
| 封装/外壳: | TO-263(D²Pak) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 150pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 充电电量: | 85nC |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 4.8nF |
| 最小包装: | 800pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 85nC |
| 高度: | 4.67mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.1020 |
| 10+ | ¥2.8200 |
| 30+ | ¥2.6320 |
| 100+ | ¥2.3500 |
| 500+ | ¥2.2184 |
| 1000+ | ¥2.1244 |
| 包装：1 | 库存：0 |