NCE01H10D
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 100V |
| 功率耗散: | 200W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 100A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 10.31 x 8.90mm |
| 封装/外壳: | TO-263(D²Pak) |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 13mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 85nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 2pin |