NCE55P04S
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 3W |
| 阈值电压: | 3.5V@250µA |
| 原始制造商: | WUXI NCE POWER CO., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 元件生命周期: | Active |
| 漏极电流: | 1uA |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 55V |
| 栅极电荷(Qg): | 26nC |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.9474 |
| 10+ | ¥1.7722 |
| 30+ | ¥1.6554 |
| 100+ | ¥1.4802 |
| 500+ | ¥1.3984 |
| 1000+ | ¥1.3400 |
| 包装：1 | 库存：1295 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.5333 |
| 包装：1 | 库存：5 |