NCE30H12K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 功率耗散: | 120W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 120A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 封装/外壳: | TO-252-2(DPAK) |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 456pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 充电电量: | 79nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 3.5mΩ |
| 原产国家: | China |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 79nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.2230 |
| 10+ | ¥1.1068 |
| 30+ | ¥1.0293 |
| 100+ | ¥0.9130 |
| 500+ | ¥0.8588 |
| 1000+ | ¥0.8200 |
| 包装：1 | 库存：2875 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.2463 |
| 50+ | ¥1.0972 |
| 150+ | ¥1.0333 |
| 500+ | ¥0.9535 |
| 2500+ | ¥0.9180 |
| 5000+ | ¥0.8967 |
| 包装：5 | 库存：1525 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.2608 |
| 包装：1 | 库存：10 |