VBSEMI
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VB7101M
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 1.3W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3A 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.2nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105mΩ 输入电容: 424pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 13nC 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 1.3W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3A 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.2nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105mΩ 输入电容: 424pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 13nC 晶体管类型: N沟道
FDC638P
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 输入电容: 450pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 输入电容: 450pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
AP2306N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
WPM2341A-3/TR
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 4.5A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 10nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 4.5A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 10nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
CEM9936A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.78W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3.7nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 26mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 586pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5.6nC 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.78W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3.7nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 26mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 586pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5.6nC 晶体管类型: MOSFET
FDN337N-NL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.1W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.1W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
FDC86244
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.3W 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP6 反向传输电容Crss: 42pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105mΩ 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 13nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.3W 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP6 反向传输电容Crss: 42pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105mΩ 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 13nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
NCE4953
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.3A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 185pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 32nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 输入电容: 1.35nF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 50nC 晶体管类型: 2个P沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.3A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 185pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 32nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 输入电容: 1.35nF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 50nC 晶体管类型: 2个P沟道(双) 引脚数: 8Pin
VBA1630
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6.1A 极性: N-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 35mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 60V FET类型: N-Channel 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 配置: Single 功率(Max): 5W（TC） 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻Rds On(Max): 35mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6.1A 极性: N-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 35mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 60V FET类型: N-Channel 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 配置: Single 功率(Max): 5W（TC） 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻Rds On(Max): 35mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
SI2308DS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 13pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 180pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 13pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 180pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道