VBSEMI
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2SJ355
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 1.355nF 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 高度: 1.60mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 1.355nF 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 高度: 1.60mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
AP2307GN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: MOSFET
VB2290A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@4.5V,3.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 60mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@4.5V,3.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 60mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
SGM2306A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.8A 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 100pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 1.2nF 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 33nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.8A 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 100pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 1.2nF 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 33nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO3460
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 300mW 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 250mA 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.1Ω 原产国家: China Taiwan 输入电容: 25pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 0.6nC 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 300mW 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 250mA 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.1Ω 原产国家: China Taiwan 输入电容: 25pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 0.6nC 晶体管类型: MOSFET
VB7322
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.3W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 漏极电流: 6A 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 27mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.3W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 漏极电流: 6A 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 27mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
CES2301
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
NCE4614
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 反向传输电容Crss: 33pF,57pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 20nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24mΩ,50mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 510pF,620pF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 反向传输电容Crss: 33pF,57pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 20nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24mΩ,50mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 510pF,620pF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
VB1106K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 台积电流片，长电科技封装；这是一款单个N型MOSFET，适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力，以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中，特别适合于小型和便携式设备。SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 260mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 2pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3Ω 输入电容: 30pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 栅极电荷(Qg): 0.5nC 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 台积电流片，长电科技封装；这是一款单个N型MOSFET，适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力，以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中，特别适合于小型和便携式设备。SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 260mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 2pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3Ω 输入电容: 30pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 栅极电荷(Qg): 0.5nC 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
RSR020N06TL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 60V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 86mΩ 输入电容: 180pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.12mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 60V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 86mΩ 输入电容: 180pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.12mm