FDC86244
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@4.5V TSOP6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 1.3W |
| 击穿电压: | 100V |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 3A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TSOP6 |
| 反向传输电容Crss: | 42pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 105mΩ |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 13nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.2208 |
| 10+ | ¥1.1445 |
| 50+ | ¥1.0301 |
| 150+ | ¥0.9538 |
| 300+ | ¥0.9003 |
| 500+ | ¥0.8775 |
| 包装：1 | 库存：0 |