FDN337N-NL

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
击穿电压:30V
功率耗散:1.1W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5.3A
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):33mΩ
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.12mm
晶体管类型:MOSFET
应用:Consumer
引脚数:3Pin