CEM9936A

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
击穿电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:6.2A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC8_150MIL
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:双路
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):5.6nC
高度:1.75mm
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:8Pin