WPM2341A-3/TR

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
阈值电压Vgs(th):1.5V@250µA
连续漏极电流Id@25℃:4.5A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
漏源击穿电压BVDSS:20V
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT23
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
栅极电荷(Qg)(Max):10nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.12mm
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin