VBSEMI
商品列表
VB5222
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.15W 击穿电压: 20V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 5.5A,3.4A 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.6nC 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.15W 击穿电压: 20V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 5.5A,3.4A 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.6nC 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
2SJ562
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 13nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 13nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
MT4435ACTR
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
P9006EDG
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=72mΩ@4.5V TO252AA
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 60V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 6.73 x 6.22mm 封装/外壳: TO252AA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 72mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 2.38mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=72mΩ@4.5V TO252AA
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 60V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 6.73 x 6.22mm 封装/外壳: TO252AA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 72mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 2.38mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
AO4606
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 阈值电压: - 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 33pF,57pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: - 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24mΩ,50mΩ 输入电容: 510pF,620pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 63nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 阈值电压: - 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 33pF,57pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: - 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24mΩ,50mΩ 输入电容: 510pF,620pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 63nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: MOSFET
NTR4170NT1G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 335pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 335pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
CJ2306
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 栅极电荷(Qg): 6.7nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 栅极电荷(Qg): 6.7nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer
IRLML6402TRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 1.5V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 无卤: Yes 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 1.5V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 无卤: Yes 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
ZVN4106FTA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 300mW 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 250mA 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.1Ω 输入电容: 25pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 0.6nC 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 300mW 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 250mA 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.1Ω 输入电容: 25pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 0.6nC 晶体管类型: N沟道
NTZD3155CT2G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=600mA,400mA SOT363
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 600mA,400mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-363 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.6nC 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=600mA,400mA SOT363
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 600mA,400mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-363 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.6nC 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 6Pin