

VB7101M
品牌
VBSEMI
供应商

分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@4.5V TSOP6
物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | Yes |
品牌: | VBsemi |
功率耗散: | 1.3W |
包装: | Tape/reel |
极性: | N-沟道 |
连续漏极电流: | 3A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 3.05 x 1.65mm |
封装/外壳: | TSOP6 |
反向传输电容Crss: | 42pF |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
充电电量: | 4.2nC |
配置: | 单路 |
漏源电压(Vdss): | 100V |
栅极电荷(Qg): | 13nC |
高度: | 1.10mm |
晶体管类型: | N沟道 |
类型: | 1个N沟道 |
引脚数: | 6Pin |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥1.2208 |
10+ | ¥1.1445 |
50+ | ¥1.0301 |
150+ | ¥0.9538 |
300+ | ¥0.9003 |
500+ | ¥0.8775 |
包装:1 | 库存:0 |