VB7101M

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:1.3W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:3A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
封装/外壳:TSOP6
反向传输电容Crss:42pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:4.2nC
配置:单路
漏源电压(Vdss):100V
栅极电荷(Qg):13nC
高度:1.10mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥1.2208
10+¥1.1445
50+¥1.0301
150+¥0.9538
300+¥0.9003
500+¥0.8775
包装:1 库存:0