SI2308DS-T1-GE3
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 1.09W |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 3.1A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 反向传输电容Crss: | 13pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 2.1nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 180pF |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.6836 |
| 10+ | ¥0.6520 |
| 包装：1 | 库存：475 |