IRLML0060TRPBF
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23
物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | Yes |
品牌: | VBsemi |
功率耗散: | 1.09W |
阈值电压: | 3V@250µA |
包装: | Tape/reel |
极性: | N-沟道 |
连续漏极电流: | 3.1A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
封装/外壳: | SOT-23 |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
充电电量: | 2.1nC |
配置: | 单路 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
栅极电荷(Qg): | 6.1nC |
高度: | 1.12mm |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | MOSFET |
引脚数: | 3Pin |
价格梯度 | 价格 |
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1+ | ¥0.6773 |
包装:1 | 库存:745 |