IRLML0060TRPBF

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:1.09W
阈值电压:3V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:3.1A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:2.1nC
配置:单路
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):6.1nC
高度:1.12mm
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.6773
包装:1 库存:745