VBA2311
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 2.5W |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 阈值电压Vgs(th): | 3V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 8.7A |
| FET类型: | P-Channel |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 325pF |
| 充电电量: | 43nC |
| 配置: | Single |
| 输入电容(Ciss)(Max): | 1960pF |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 功率(Max): | 5.6W（Tc） |
| 导通电阻Rds On(Max): | 12mΩ |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃(TJ) |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.1700 |
| 10+ | ¥2.6100 |
| 30+ | ¥2.3700 |
| 100+ | ¥2.0700 |
| 500+ | ¥1.5900 |
| 1000+ | ¥1.5100 |
| 包装：1 | 库存：60 |