VB1330

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:30V
阈值电压:1.1V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5.3A
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China Taiwan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):33mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):6.7nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.3050
包装:1 库存:0