IRLML6401GTRPBF

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
阈值电压:1.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:4.5A
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):43mΩ
原产国家:China Taiwan
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):10nC
零件状态:Active
高度:1.12mm
晶体管类型:MOSFET