FDG6303N
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 2V@250µA |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 2.3A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-363 |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 3nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | - |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 5nC |
| 高度: | 1.10mm |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 引脚数: | 6Pin |