IRF5803TRPBF
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 2W |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 2V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 封装/外壳: | SOT23-6 |
| 反向传输电容Crss: | 63pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 5.1nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 54mΩ |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 15nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 引脚数: | 6Pin |