RSR020N06TL

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:60V
功率耗散:1.09W
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.1A
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:13pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):86mΩ
原产国家:China Taiwan
输入电容:180pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
高度:1.12mm
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.8136
包装:1 库存:505