VB2290A

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
功率耗散:1.2W
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@4.5V,3.8A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.7A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:155pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:8nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):60mΩ
原产国家:China Taiwan
输入电容:835pF
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):8nC
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.3248
10+¥0.3045
50+¥0.2741
150+¥0.2538
300+¥0.2395
500+¥0.2335
包装:1 库存:0