VB1106K
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单个N型MOSFET，适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力，以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中，特别适合于小型和便携式设备。SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 100V |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 260mA |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 反向传输电容Crss: | 2pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 0.5nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 3Ω |
| 输入电容: | 30pF |
| 应用等级: | Consumer |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 认证信息: | RoHS, HF(halogen free), |
| 栅极电荷(Qg): | 0.5nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 应用: | Consumer |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.3217 |
| 50+ | ¥0.3151 |
| 150+ | ¥0.3107 |
| 500+ | ¥0.3062 |
| 包装：5 | 库存：35 |