VB1106K
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 370mW |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 2.8Ω@10V,0.26A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 260mA |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 0.5nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 3Ω |
| 输入电容: | 30pF |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 0.5nC |
| 高度: | 1.12mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |