SGM2306A
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 2.5W |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 6.8A |
| 封装/外壳: | SOT89-3 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 100pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 22mΩ |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 1.2nF |
| 最小包装: | 1000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 33nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.2208 |
| 10+ | ¥1.1445 |
| 50+ | ¥1.0301 |
| 150+ | ¥0.9538 |
| 300+ | ¥0.9003 |
| 500+ | ¥0.8775 |
| 包装：1 | 库存：0 |