AP2307GN
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 1.25W |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1.5V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4.5A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 155pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 10nC |
| 配置: | 单路 |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 10nC |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.3248 |
| 10+ | ¥0.3045 |
| 50+ | ¥0.2741 |
| 150+ | ¥0.2538 |
| 300+ | ¥0.2395 |
| 500+ | ¥0.2335 |
| 包装：1 | 库存：0 |