VB7322

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:5.5A
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TSOP6
漏极电流:6A
反向传输电容Crss:42pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:4.2nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):13nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道