ALLPOWER
商品列表
AP2N7002
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A
安装类型: SMT 功率耗散: 700mW 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2Ω@10V,450mA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 450mA 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 6pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 输入电容: 50pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 1.6nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A
安装类型: SMT 功率耗散: 700mW 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2Ω@10V,450mA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 450mA 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 6pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 输入电容: 50pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 1.6nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
AP1606
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN-1006 Single N-Channel
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 0.8V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 700mA 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN1006-3 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 6.5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 180mΩ 输入电容: 40pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 1.1nC 高度: 0.50mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN-1006 Single N-Channel
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 0.8V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 700mA 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN1006-3 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 6.5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 180mΩ 输入电容: 40pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 1.1nC 高度: 0.50mm 零件状态: Active
AP8810
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1W 阈值电压: 1V@250µA 额定功率: 1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@4.5V,6A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSSOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 共漏 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 输入电容: 2.6nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 45nC 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1W 阈值电压: 1V@250µA 额定功率: 1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@4.5V,6A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSSOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 共漏 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 输入电容: 2.6nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 45nC 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
AP3910GD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：35W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 1.3V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: PDFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 160pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13nC 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：35W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 1.3V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: PDFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 160pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13nC 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
AP30H80Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：46W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 70A 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.614nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 33.7nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：46W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 70A 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.614nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 33.7nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AP2301B
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±12V ID=2A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 750mW 击穿电压: 20V 阈值电压: 950mV@250µA 额定功率: 750mW 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -2A 反向传输电容Crss: 27pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 165mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±12V ID=2A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 750mW 击穿电压: 20V 阈值电压: 950mV@250µA 额定功率: 750mW 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -2A 反向传输电容Crss: 27pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 165mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
AP2301
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 1W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 1W 阈值电压: -0.7V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 57mΩ@4.5V,3A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -3A 反向传输电容Crss: 58pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 1W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 1W 阈值电压: -0.7V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 57mΩ@4.5V,3A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -3A 反向传输电容Crss: 58pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
AP2302B
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 0.35W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 350mW 阈值电压: 0.7V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@4.5V,2.8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 2.8A 工作温度: +150℃(TJ) 充电电量: 4nC 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 0.35W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 350mW 阈值电压: 0.7V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@4.5V,2.8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 2.8A 工作温度: +150℃(TJ) 充电电量: 4nC 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道
AP6007S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.6V 额定功率: 3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 191pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 4.605nF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 77nC 高度: 1.75mm 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.6V 额定功率: 3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 191pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 4.605nF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 77nC 高度: 1.75mm 类型: 1个N沟道
AP2080K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=20V VGS=±12V ID=50A
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 900mV@1mA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 额定功率: 3.13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.8mΩ@4.5V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.30mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 99.2nC 高度: 2.50mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=20V VGS=±12V ID=50A
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 900mV@1mA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 额定功率: 3.13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.8mΩ@4.5V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.30mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 99.2nC 高度: 2.50mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin