AP30H80Q
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：46W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 46W |
| 阈值电压: | 1.5V@250µA |
| 额定功率: | 46W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 4.8mΩ@10V,30A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 70A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.05mm |
| 封装/外壳: | DFN8_3.3X3.3MM |
| 反向传输电容Crss: | 215pF@15V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 12mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 认证信息: | RoHS |
| 栅极电荷(Qg): | 33.7nC |
| 高度: | 0.85mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.5712 |
| 10+ | ¥0.5502 |
| 100+ | ¥0.4872 |
| 500+ | ¥0.4746 |
| 包装：1 | 库存：3286 |