AP8810

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):1.5W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:1W
阈值电压:1V@250µA
额定功率:1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:7A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TSSOP-8
工作温度:-55℃~+150℃
配置:共漏
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):30mΩ
输入电容:2.6nF
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):45nC
晶体管类型:2个N沟道(双)
类型:2个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.4176
30+¥0.4032
100+¥0.3744
500+¥0.3456
1000+¥0.3312
包装:1 库存:5000
价格梯度 价格
5+¥0.5147
50+¥0.4035
150+¥0.3478
包装:5 库存:5120