AP2N7002

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
额定功率:700mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,450mA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:450mA
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:6pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
原产国家:China
输入电容:50pF
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):1.6nC
高度:1.15mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道